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        产品信息

        4H 半绝缘型

        SiC单晶衬底

        4H Semi-Insulating

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        当前位置 >4H-半绝缘型衬底
        天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
        更好的满足客户的需求
        目前可批量供应4&6英寸产品
        8英寸产品正在研发中

        *更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

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        基本信息

        半绝缘型
        • 晶型 4H
        • 直径(mm) 100 & 150
        • 偏角(°) 0
        • 厚度(μm) 500
        • 表面状态 Epi-ready

        微波射频器件

        通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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