<sub id="11vvx"></sub>

        <sub id="11vvx"></sub>

        产品信息

        4H 导电型

        SiC单晶衬底

        4H n-Type

        当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
        天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
        更好的满足客户的需求
        目前可批量供应6英寸产品
        8英寸产品正在研发中

        *更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

        >联系我们

        基本信息

        导电型
        • 晶型 4H
        • 直径(mm) 150
        • 偏角(°) 4
        • 厚度(μm) 350
        • 表面状态 Epi-ready

        电力电子器件

        通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
        >返回
        ? 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   备案号:鲁ICP备11002960号-1
        Top 综合色区亚洲熟妇10p